氮化鎵(GaN)真的是黑科技,還是行銷噱頭?

氮化鎵 GaN 是什麼?

氮化鎵GaN)是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料,可以在高溫和高電壓下,進行長時間的運作。另外,以氮化鎵GaN製成的晶片特色之一就是閥極切換速度快、效率高,是現在市面充電器常用的元件。但除了氮化鎵之外,充電器產品內部使用的各種IC、零件和電路設計,之間互相的配合,才能真正造就小體積、高效率的充電器。

氮化鎵 GaN 有哪些特色?

雖然氮化鎵(GaN)元件的特色在於速度快、效率高,但工作頻率高也意味著氮化鎵(GaN)有著高輻射的特性。由於應用在消費性產品,必須顧及使用者安全,因此在導入消費性產品時,產品印刷電路板布局必須充分減少電源和驅動迴路內的總電感,以達到對元件切換性能的最佳控制,並且需要在產品效率註一與安全規範間取得平衡。

充電器一定要搭配氮化鎵 GaN 技術嗎?

不一定。過去Innergie一直沒有推出氮化鎵(GaN)產品的原因在於,台達的技術以及使用的材料,在不需要導入氮化鎵(GaN)的情況下,即打造當時市場上最小體積、效率高於他牌的60瓦充電器,即使是現在,60C Pro仍然在體積上勝過絕大多數規格相似的競品。且氮化鎵(GaN)剛出現在市場被應用時,技術尚未穩定成熟,Innergie並不想要只追求快速推出新科技而忽視了不成熟的產品會造成另外一批電子垃圾的可能性。

Innergie產品與各大國際品牌有氮化鎵(GaN)技術充電產品體積與功率密度比較

氮化鎵GaN科技未來的運用

近期在技術成熟以及未來產品布局的藍圖考量下,Innergie決定導入氮化鎵(GaN),配合氮化鎵晶片重整One For All電路板結構並進行優化和模組化。C6Innergie的第一顆氮化鎵(GaN)充電器,而未來不論是高瓦數的新品或是現有的One For All 系列的產品,也都會搭載氮化鎵(GaN)技術。值得一提的是,Innergie One For All萬用充電器內建的氮化鎵晶片,採用超越一般業界常見可靠度的驗證標準規範來進行測試,更加穩定安全。

 

氮化鎵(GaN)絕對是突破性的第三代半導體材料,並且未來在各種科技領域甚至到外太空的設備應用,都可能有發揮的一席之地。只是這樣黑科技,仍需要搭配其他的元件材料與電路結構設計的輔助,才能完整發揮潛力。

Innergie的專利電路板技術,讓One For All萬用充電器達到極小體積。

註一:

 

此處提到的效率為轉換能源的效率,而非替設備充電的效率。設備充電效率通常指充電器提供給設備的瓦數,充電效率取決於充電器本身提供的瓦數以及充電器與設備是否支援PDQC、或其他快充協議。